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Rilievo delle caratteristiche di collettore di un transitor NPN




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Rilievo delle caratteristiche di collettore di un transitor NPN


Scopo

Rilevare le caratteristiche di collettore BJT BC300



Circuito utilizzato

















Strumenti utilizzati

  • 2 alimentari (EB e EC
  • 3 tester tra cui uno utilizzato come voltmetro ed due come amperometri;
  • Due resistenze da 10KΏ (RB e Rc)
  • Un transistore BC300;
  • Due potenziometri uno da 10KΏ (P ) ed uno da 1 KΏ (P

Cenni teorici

 


 
Il componente posto ad esame č il transistor (transfer resistor) di tipo BJT (bipolar junction transistor). Questo č un dispositivo (al silicio o germanio) costituito da semiconduttori estrinseci p e n, i quali formano due giunzioni pn (base-emettitore e base-collettore) collegate in modo da costituire o una sequenza pnp o una npn (come in questo caso). Per avere un corretto funzionamento del transistor vi devono essere particolari condizioni tra cui una base molto sottile nell'ordine dei mm e meno drogata rispetto a quella dell'emettitore e collettore; si distinguono quindi tre connettori: base, emettitore e collettore. La conduzione nei transistor npn č dovuta al moto degli elettroni liberi e presenta una tensione VCE  diretta dall'emettitore al collettore. Il transistor BJT č in grado di trasferire una variazione di corrente da una resistenza bassa ad una di valore pił elevato (in particolari condizioni di funzionamento), ricavandone un'amplificazione di tensione.

Il transistore utilizzato il  BC300 č un transistor a bassa frequenza e per medie potenze con contenitore cilindrico metallico. La piedinatura č a V dove il pedice corrisponde alla base.

Il circuito analizzato risulta a emettitore comune (common emitter: CE) e si possono individuare due circuiti distinti; IN entrata con un generatore EB fissato a 1V e con una corrente IB passante per RB; l'altro circuito OUT uscita anch'esso č costituito da un generatore EC fissato a 15V la cui corrente IC percorre la resistenza  RC. Ciņ che a noi interessa č osservare la caratteristica di collettore del transistore ponendo come abbiamo appena visto delle tensioni d'ingresso e uscita lavorando in un certo modo.


Misurazioni effettuate

Fissati i due generatori abbiamo proceduto con l'esperienza facendo in modo che cambiassimo per 4 volte IB in modo che fosse uno volta 10µA, poi 20 µA, 30 µA e

40 µA; il tutto regolando P1. Scelta la corrente di base abbiamo riportato i valori nelle tabelle dove per ogni Vce corrispondeva una corrente di collettore Ic espressa questa volta in mA.




Ib1=10uA



Ib2=20uA

Vce (v)

Ic (mA)


Vce (v)

Ic (mA)


























































Ib3=30uA



Ib4=40uA

Vce (v)

Ic (mA)


Vce (v)

Ic (mA)



























































Caratteristica ottenuta






L'hfe statico č dato dal rapporto di ∆Ic su di ∆Ib che nel nostro caso č di circa      .

Il numero ottenuto č un numero adimensionale ed indica l'instabilitą del circuito.



Conclusioni



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