Il transistor mos
Oltre ai transistor bipolari, esistono anche
transistor ad effetto di campo, detti anche transistor unipolari. I transistor
ad effetto di campo, come ad esempio il MOS, è ampiamente utilizzato come
interruttore e ciò ha permesso la realizzazione di circuiti integrati logici ad
altissima scala di integrazione, comprendenti più di milioni di transistor su
una sola piastra di silicio. I MOS hanno inoltre soppiantato i transistor
bipolari nelle applicazioni come interruttori di potenza ad alta velocità:
infatti mentre un transistor bipolare impiega un tempo dell'ordine di grandezza
dei microsecondi per interrompere una corrente di svariati Ampere, un MOS
compie la stessa operazione in un tempo 100 volte inferiore.
Schema di un transistor MOS:
Un transistor MOS è costituito da un blocco di
silicio drogato di tipo 'p', in cui sono ricavate due zone separate
di tipo 'n', che costituiscono il Source (S) e il Drain (D). La zona
tra S e D è la sede del canale di conduzione di cariche. Al di sopra del canale
viene depositato un sottile strato di isolante e sopra viene depositato un
elettrodo metallico che costituisce il Gate ( dispositivo di controllo ). Se il
gate viene lasciato a potenziale zero, non vi è passaggio di corrente, mentre
se viene reso sufficientemente positivo rispetto al source, il campo elettrico
che si forma riesce ad attirare abbastanza elettroni nella zona sotto il gate,
inducendo un canale n che collega S e D, permettendo così il passaggio di
corrente.
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