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Doppia Giunzione Tunnel
Fig. 1: Schema di un sistema a doppia giunzione. Il tunneling attraverso la prima giunzione è considerato diretto se l'elettrone entra dentro l'isola, quello attraverso la seconda giunzione è considerato diretto se l'elettrone esce dall'isola.
Consideriamo il circuito multigiunzione più semplice: la serie di
due giunzioni tunnel connesse ad un generatore di tensione V tramite
un'impedenza .
Fig.
2: Sistema a doppia giunzione, accoppiato ad un generatore di tensione V
tramite l'impedenza esterna .
Per ricavare l'energia di caricamento del sistema, si considerano
le due giunzioni come semplici condensatori, trascurando per il momento la
possibilità che un elettrone faccia tunneling. Il comportamento del sistema può
essere descritto in termini delle cariche e
sulle giunzioni, ma
anche, equivalentemente, tramite
e la carica in eccesso
presente sull'isola metallica individuata dalle due giunzioni.
Tale carica in eccesso sarà:
ove è il numero di
elettroni che ha attraversato la giunzione 1 entrando nell'isola, e
è il numero di
elettroni che ha attraversato la giunzione 2 uscendo dall'isola:
ed
sono numeri interi.
Posto poi
, si può scrivere :
Il termine è dovuto ad una carica
costante di offset presente nell'isola. Detta
la carica dell'isola
fissata dalla differenza tra le funzioni lavoro dei metalli che costituiscono
le giunzioni , si ha:
ove è la funzione lavoro
del metallo dell'isola, e
e
sono quelle degli
elettrodi inferiore e superiore rispettivamente.
Questa carica è di per sè considerevole (), ma di fatto viene quasi integralmente compensata da
cariche che fanno tunneling. La compensazione, proprio a causa della natura
discreta della carica elettrica, non sarà mai completa: si avrà sempre la
carica residua
che è una variabile
aleatoria con densità di probabilità uniforme in
.
La capacità vista dal circuito elettrico esterno sarà:
che porta una carica pari a:
L'energia di caricamento del sistema sarà:
Esprimiamo ora le cariche e
in funzione di
e
usando:
Risolvendo il sistema si ottiene:
Che, sostituite nella , portano a:
ove:
Siamo ora in grado di scrivere l'espressione dell'energia libera di questo sistema, che comprende l'energia di caricamento delle due capacità di giunzione appena ricavata, ed il lavoro compiuto dal generatore di tensione per ristabilire l'equilibrio di carica quando gli elettroni attraversano le giunzioni:
Calcolando adesso la diminuzione di energia (energia iniziale - energia finale) associata ad un evento di tunneling:
con
e
si ottiene:
Cerchiamo adesso di ragionare intuitivamente per poi dare una prova più formale e convincente dei risultati cui perverremo.
Perchè si verifichi un evento di tunneling, esso deve essere
vantaggioso dal punto di vista energetico, ovvero dovrà minimizzare l'energia del sistema, per cui il
associato ad una
transizione dovrà essere
. Imponendo dunque
, ovvero che lo stato iniziale sia di equilibrio, si ottiene
che il tunneling attraverso le due giunzioni è soppresso per:
con:
Passiamo ora ad un approccio più rigoroso, anche se in alcuni punti, come per la singole giunzione tunnel, ci limiteremo a giustificare intuitivamente i risultati della teoria generale senza specificare come si ricavino effettivamente.
Assumiamo innanzitutto trascurabile la carica di sbilanciamento : la carica sull'isola sarà quindi semplicemente
.
Scriviamo ora l'espressione della frequenza di tunneling diretta
(le transizioni dirette sono quelle favorite da una tensione applicata
positiva, ovvero la è la frequenza con cui
gli elettroni attraversano la giunzione 1 per entrare nell'isola, e parimente
è quella con cui
attraversano la giunzione 2 per uscire dall'isola) attraverso la prima
giunzione:
Dove:
con
con
La quindi non è che la
diminuzione di energia libera prima e dopo l'evento di tunneling:
.
Se fossero assenti interazioni con l'ambiente elettromagnetico, si avrebbe ovviamente:
Ma in realtà l'elettrone che sta facendo tunneling ha la possibilità di scambiare energia con l'ambiente con probabilità:
ove:
e la che compare nella
è la capacità parallelo tra
e
.
La si può scrivere alternativamente come:
Per la frequenza di transizione inversa sulla giunzione 1 si ottiene:
Per la giunzione 2 avremo dunque:
ove è la diminuzione
dell'energia libera prima e dopo l'evento di tunneling:
.
Studiamo adesso i casi limite di alta e bassa impedenza.
Nel caso di bassa impedenza, si ottiene che , ovvero il
tunneling è elastico, e quindi:
A T=0K poi:
Da qui si ritrova che il tunneling è bloccato per .
Prendendo poi in considerazione le alte frequenze di transizione, ed imponendo che anch'esse si azzerino, si ottengono le condizioni su V trovate prima intuitivamente:
per
per
per
per
Fig. 1: Diagramma di stabilità nel caso di bassa impedenza.
In figura è presentato il diagramma di stabilità del sistema nello spazio (q,V). La zona
chiara è la regione di stabilità del sistema: tutte le frequenze di tunneling
sono infatti nulle in tale dominio. Nella zona ombreggiata, invece, una o più
frequenze di tunneling sono diverse da zero. Di conseguenza, a non c'è conduzione se
il valore assoluto della tensione è inferiore a
: si ha quindi un Coulomb gap pur essendo nel caso di bassa
impedenza. In presenza della carica di sbilanciamento
, finora trascurata, l'intervallo di tensioni per cui lo
stato rimane stabile diminuisce: per
non esiste nessun
intervallo di stabilità, ed il Coulomb gap scompare.
Fig. 2: Coulomb gap in caso di bassa impedenza in funzione della carica di offset.
Nel caso, invece, di alta impedenza, si ottiene, per temperature
finite :
A , si ottiene
,ove
. Per cui, considerando la frequenza di tunneling attraverso
la prima giunzione si ottiene:
Osservando che:
si nota come gli stessi risultati potrebbero esser ottenuti semplicemente trattando il sistema secondo la visione locale.
Si consideri che ora il limite di alta impedenza è molto più
difficile da raggiungere perchè il peso dell'impedenza esterna nell'espressione
di è diminuito di un
fattore
(la capacità parallelo
è infatti
).
Le condizioni perchè le quattro frequenze di transizione siano
nulle a saranno:
per
per
per
per
Fig. 1: Diagramma di stabilità nel caso di alta impedenza
Come si vede, la regione di stabilità individuata da queste
condizioni è più grande rispetto a quella nel caso di bassa impedenza. In
assenza di carica di offset, il Coulomb gap è dato da , che supera il Coulomb gap a bassa impedenza perchè
. Inoltre, sono osservabili effetti di bloccaggio fino ad un
valore e della carica di offset.
Fig. 2: Coulomb gap nel caso di alta impedenza in funzione della carica di offset
Per il calcolo della corrente che scorre in questo sistema, la situazione è decisamente più complicata che nel caso della singola giunzione: le frequenze di tunneling infatti dipendono dai precedenti eventi di tunneling che conducono ad una certa carica nell'isola.
Si è visto come lo stato del sistema possa esser caratterizzato dalla tensione V e la carica in eccesso nell'isola q. Assumendo che dopo un evento di tunneling si raggiunga di nuovo una condizione di equilibrio con l'ambiente prima che un'altro se ne verifichi, durante una sequenza di eventi di tunneling la tensione V può essere considerata costante, mentre cambia solo la carica nell'isola q: si possono dunque pensare le frequenze di tunneling dipendenti solo da q, e quindi da n, il numero di cariche positive in eccesso nell'isola.
Scriviamo ora un'equazione che ci permetta di mettere in relazione
stati con differenti cariche nell'isola: la probabilità di trovare nell'isola
n cariche cambia nel tempo se si lascia questo stato o se vi si arriva dagli
stati
o
.
Ove è la frequenza di
transizione dallo stato l allo stato k.
Si può cambiare la carica nell'isola con un evento di tunneling attraverso la prima o la seconda giunzione, per cui si ha (si noti che, come anticipato, è stata eliminata la dipendenza dalla tensione):
Per risolvere la si usano le condizioni:
Ove è la delta di
Kronecker.
Ove è tale che:
Siamo interessati alle probabilità
stazionarie, per cui richiediamo che . Si trova infine che la è soddisfatta dalle probabilità che soddisfano il bilancio
dettagliato:
Da cui si ottiene:
Ove , la probabilità di
isola scarica, si ottiene dalla condizione di normalizzazione:
Siamo adesso in grado di scrivere l'espressione della corrente valida a qualsiasi temperatura e per qualsiasi ambiente:
La corrente può esser espressa in funzione della frequenze di tunneling della giunzione 1 e 2 in virtù della conservazione della carica elettrica.
È interessante a questo punto considerare un caso particolare: , bassa impedenza,
, carica di offset assente.
Per:
si ottiene per le probabilità:
e quindi la corrente è zero.
Per:
Partendo da , è permesso solo il tunneling di un elettrone attraverso la
prima giunzione dentro l'isola. A
si possono verificare
solo transizioni verso lo stato
attraverso la seconda
giunzione. Il processo presenta un elevato grado di correlazione mutua tra gli
eventi di tunneling: un elettrone che entra nell'isola, la lascia pochissimo
tempo dopo.
Fig. 1: Correlazione mutua degli eventi di tunneling nel sistema.
Si aumenti ancora la tensione:
Se si assume che di sicuro l'isola non
si caricherà con due elettroni. Ora si hanno due possibilità per lasciare lo stato per
: un elettrone può lasciare l'isola attraverso la giunzione 2
o può entrarvi attraverso la giunzione 1. A seconda di cosa accade, la carica
sull'isola diventa
o
. Al passo successivo
un elettrone farà tunneling ripristinando la neutralità di carica. Si hanno
quindi due processi che assicurano la conduzione:
e
.
Aumentando ulteriormente la tensione, la situazione si fa sempre più complicata.
Fig.
2: Caratteristica I-V di una doppia giunzione con e
, in un ambiente di bassa impedenza, per vari valori di
, la carica di offset nell'isola.
, espressa in unità di
e, va da 0 a 0.5 con uno step di 0.1.
BIBLIOGRAFIA
"Electrical Conduction Mechanism in Ultrathin, Evaporated Metal Films" C. A. Neugebauer, M. B. Webb, J. Appl. Phys. 33,74 (1962)
''Single electron tunneling rates in multijunction circuits'' H. Grabert, G. L. Ingold, M. Devoret, D.Estève, H. Pothier, C. Urbina Z. Phys. B-Condensed Matter 84, 143 (1991)
''Effect of the Electromagnetic Environment on the Coulom Blockade in Ultrasmall Tunnel Junctions''M. Devoret, D.Estève, H. Grabert, G. L. Ingold, H. Pothier, C. Urbina Phys. Rev. Lett. 64, 1824 (1990)
''Finite-Temperature Current-Voltage Characteristcs of Ultasmall Tunnel Junctions'' G. L. Ingold, H. Grabert Europhys. Lett. 14, 371 (1990)
''Introduction to single charge tunneling'' M. H. Devoret, H. Grabert in ''Single charge tunneling'', M. H. Devoret, H. Grabert, eds. New York: Plenum (1992)
''Charge tunneling rates in ultrasmall junctions'', G. L. Ingold, Yu. V. Nazarov in''Single charge tunneling'', M. H. Devoret, H. Grabert, eds. New York: Plenum (1992)
''Effect of High-Frequency Electrodynamic Environment on the Single-Electron Tunnelig in Ultrasmall Junctions'' P. Delsig, K. K. Likharev, L.S. Kuzmin, T. Cleason, Phys. Rev. Lett. 63, 1180 (1989)
''Coulomb Blockade of Single Electron Tunneling, and Coherent Oscillations in Small Tunnel Junctions'', D. V. Averin, K. K. Likharev, J. Low Temp. Phys. 62, 345 (1986)
''Single Electronics:a Correlated Transfer of Single Electron and Cooper Pairs in Systems of Small Tunnel Junctions'' D. V. Averin, K. K. Likherv in ''Mesoscopic Phenomena in Solids'', B. L. Altshuler, P. A. Lee, R. A. Webb, eds. Amsterdam: Elsevier (1991)
''Correlated Discrete Transfer of Single Electrons in Ultrasmall Tunnel Junctions'', K. K. Likharev, IBM J. Res. Dev. 32, 144 (1988)
''Quantun Fluctuations and the Single-Junction Coulomb Blockade'', S. M. Girvin, L. I. Glazman, M. Jonson, D. R. Penn, M. D. Stiles, Phys. Rev. Lett. 64, 3183 (1990)
''Charge Fluctuations in Small-Capacitance Junctions'', A. N. Cleland, J. M. Schmidt, J. Clarke, Phys. Rev. Lett. 64, 1565 (1990)
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